• 2023-05-29

カルコゲナイド/結晶シリコン積層技術

カルコゲナイド系半導体材料は、成分調整によりバンドギャップを1.2eVから3.2eVの間で調整できる化合物です。 カルコゲナイド半導体材料のバンドギャップを1.68eV程度に調整し、積層技術により、バンドギャップ1.12eVの結晶シリコン材料と積層型太陽電池を形成し、カルコゲナイドをトップセルとして短波長の高エネルギー光子を吸収し

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